Ежегодно корпорации работают над освоением новых техпроцессов, уменьшая размеры электроники. Особого успеха удалось достичь учёным из российского Национального исследовательского технологического университета «МИСиС». В сотрудничестве со специалистами из Национального института материаловедения Японии, Пекинского транспортного университета и Технологического университета Квинсленда им удалось создать самый тонкий в мире полупроводник с заданными свойствами и толщиной всего в одну молекулу.
«Получен новый полупроводниковый материал на основе нитрида бора. У него можно контролируемым способом менять ширину запрещённой зоны путём изменения концентрации кислорода. Предложенный метод позволяет быстро и просто — а значит, дёшево — получить материал с контролируемой запрещенной зоной», — рассказал Леонид Чернозатонский, главный научный сотрудник Института биохимической физики РАН.
Учёным удалось построить теоретическую модель нового материала с помощью суперкомпьютерного кластера Cherry, находящегося в НИТУ «МИСиС». Он представляет собой плёнку из нитрида бора, на которую наносится кислород для создания микросхемы. Затем в ходе эксперимента им удалось создать опытный образец, соответствующий полученной модели.
«Наше открытие позволит активно использовать этот материал в таких областях науки и техники, как фотовольтаика, оптоэлектроника, хранение энергии», — отметил ведущий научный сотрудник лаборатории «Неорганические наноматериалы» НИТУ «МИСиС» Павел Сорокин.
Разработка российских учёных открывает возможности для создания энергоэффективных нанопроцессоров, которые будут в тысячи раз компактнее существующих. Всё это позволит уменьшить размеры аккумуляторов и создать так называемую «незаметную» электронику, вроде невесомых кардиостимуляторов, очков с дополненной реальностью, телефонов в виде сережек и т.д.
Источник: iz.ru
