Международный коллектив ученых с участием сотрудников нескольких российских научных институтов впервые в мире синтезировал двумерный оксид меди, это соединение может найти применение в микроэлектронике для создания эффективной "магнитной памяти", результаты работы опубликованы в престижном мировом научном журнале NanoScale.
Создание новых двумерных материалов, состоящих из слоя толщиной в один атом, – одна из самых перспективных областей современного материаловедения. С момента получения в 2004 году графена – первого двумерного материала – ученые по всему миру исследуют его особенности, пытаясь соединить его с другими материалами.
Специалистам Национального исследовательского технологического университета "МИСиС", Технологического института сверхтвердых и новых углеродных материалов (Москва) и Института биохимической физики (Москва) совместно с коллегами из института NIMS (Япония) удалось добиться "самосборки" двумерного оксида меди на графене.
В отличие от графена, который представляет собой шестиугольные "соты" из атомов углерода, двумерный оксид меди имеет квадратную структуру. Таким образом, впервые в мире получен двумерный материал с квадратной кристаллической решеткой. Одной из особенностей нового материала оказался антиферромагнетизм (низкая намагниченность), который обычный оксид меди не проявляет ни при каких условиях.
Антиферромагнетики относятся к очень перспективным материалам с точки зрения микроэлектроники. Так, чтобы записать один бит информации в антиферромагнетик, достаточно всего 12 атомов его поверхности, в то время как существующие технологии используют для записи одного бита сотни тысяч атомов.
Ученые видят и другие возможности использования результатов своей работы. "Наше открытие показало возможность нового применения графена как основы для сборки различных веществ, причем не только самостоятельных отдельных материалов, но и многослойных двумерных гетероструктур", — отметил руководитель теоретической части работы, ведущий научный сотрудник лаборатории "Неорганические наноматериалы" НИТУ "МИСиС" Павел Сорокин, слова которого цитируются в сообщении вуза.
Источник: РИА Новости
